ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SGH80N60UFDTU, Транзистор IGBT UFD 600В 80А 195Вт [TO-3PN] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
SGH80N60UFDTU, Транзистор IGBT UFD 600В 80А 195Вт [TO-3PN]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
SGH80N60UFDTU, Транзистор IGBT UFD 600В 80А 195Вт [TO-3PN]
Последняя цена
640 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
SGH80N60UFDTU
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1790973
Технические параметры
Вес, г
5.6
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.6
Корпус
TO-3PN
Технология/семейство
ufd
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
195
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
90
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
220
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
23
Техническая документация
SGH80N60UFD , pdf
, 784 КБ