SCTWA50N120, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3520 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

МОП-транзистор PTD NEW MAT & PWR SOLUTION

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

SCTWA50N120

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2409046

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 200 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

SCTWA50 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

65A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 20V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 400V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 200В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

318W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

69mOhm @ 40A, 20V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

HiP247в„ў

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+25V, -10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

65 A

Pd - рассеивание мощности

318 W

Qg - заряд затвора

122 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

52 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.2 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.8 V

Вид монтажа

Through Hole

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

HiP247

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

600

Серия

SCTWA50N120

Технология

SiC

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка / блок

HiP-247-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet SCTWA50N120 , pdf , 710 КБ
Datasheet SCTWA50N120 , pdf , 597 КБ

SCTWA50N120, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 3520 руб.

Техническая документация