ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SCTWA35N65G2V, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 45 А, 650 В, 0.045 Ом, HiP247LL - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 45 А, 650 В, 0…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SCTWA35N65G2V, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 45 А, 650 В, 0.045 Ом, HiP247LL
Последняя цена
2130 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
SCTWA35N65G2V
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1370720
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
200 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
HiP247LL
Рассеиваемая Мощность
240Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
45А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.045Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
20В
Пороговое Напряжение Vgs
3.2В
Вес, г
6.1
MOSFET Configuration
Single
Количество элементов на ИС
1
Brand
STMicroelectronics
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Серия
SCTWA35N65G2V
Тип корпуса
Hip247
Материал транзистора
SiC
Maximum Continuous Drain Current
45 А
Maximum Drain Source Resistance
0.072 O
Maximum Drain Source Voltage
650 В
Максимальное пороговое напряжение включения
3.2V
Техническая документация
Datasheet SCTWA35N65G2V , pdf
, 239 КБ