SCTW40N120G2V, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 36 А, 1.2 кВ, 0.07 Ом, HiP247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

SCTW40N120G2V

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370716

Максимальная Рабочая Температура

200 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

HiP247

Рассеиваемая Мощность

278Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

36А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.07Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

2.45В

Вес, г

4.5

MOSFET Configuration

Single

SCTW40N120G2V, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 36 А, 1.2 кВ, 0.07 Ом, HiP247 - характеристики, поставщики