ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SCTL35N65G2V, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 40 А, 650 В, 0.045 Ом, PowerFLAT HV - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 40 А, 650 В, 0.…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SCTL35N65G2V, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 40 А, 650 В, 0.045 Ом, PowerFLAT HV
Последняя цена
2420 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
SCTL35N65G2V
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1370714
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
5вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
PowerFLAT HV
Рассеиваемая Мощность
417Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
40А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.045Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
20В
Пороговое Напряжение Vgs
3.2В
Вес, г
0.18
MOSFET Configuration
Single
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов
Техническая документация
Datasheet SCTL35N65G2V , pdf
, 318 КБ