SCTH90N65G2V-7, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 116 А, 650 В, 0.018 Ом, H2PAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

SCTH90N65G2V-7

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370712

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

7вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

H2PAK

Рассеиваемая Мощность

484Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

116А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.018Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

3.2В

Вес, г

1.45

MOSFET Configuration

Single

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

SCTH90N65G2V-7, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 116 А, 650 В, 0.018 Ом, H2PAK - характеристики, поставщики