SCTH40N120G2V-7, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 36 А, 1.2 кВ, 0.07 Ом, H2PAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

SCTH40N120G2V-7

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370711

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

7вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

H2PAK

Рассеиваемая Мощность

238Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

36А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.07Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

2.45В

Вес, г

1.54

MOSFET Configuration

Single

SCTH40N120G2V-7, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 36 А, 1.2 кВ, 0.07 Ом, H2PAK - характеристики, поставщики