ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SCTH35N65G2V-7AG, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 45 А, 650 В, 0.045 Ом, H2PAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 45 А, 650 В…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SCTH35N65G2V-7AG, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 45 А, 650 В, 0.045 Ом, H2PAK
Последняя цена
2200 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
SCTH35N65G2V-7AG
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1370710
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
H2PAK
Рассеиваемая Мощность
208Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
45А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.045Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
20В
Пороговое Напряжение Vgs
3.2В
Вес, г
1.54
MOSFET Configuration
Single
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
Datasheet SCTH35N65G2V-7AG , pdf
, 376 КБ