SCT50N120, Silicon Carbide MOSFET, SiC, Single, N Канал, 65 А, 1.2 кВ, 0.052 Ом, HiP247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

SCT50N120

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370705

Максимальная Рабочая Температура

200 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

HiP247

Рассеиваемая Мощность

318Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

65А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.052Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

20В

Пороговое Напряжение Vgs

3В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

MOSFET Configuration

single

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

SCT50N120, Silicon Carbide MOSFET, SiC, Single, N Канал, 65 А, 1.2 кВ, 0.052 Ом, HiP247 - характеристики, поставщики