SCT3120AW7TL, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 21 А, 650 В, 0.12 Ом, TO-263 (D2PAK), Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1640 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules

МОП-транзистор 650V 7PIN SIC 21A

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

SCT3120AW7TL

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370703

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

7вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-263 (D2PAK)

Рассеиваемая Мощность

100Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

21А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.12Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Вес, г

22.68

MOSFET Configuration

Single

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Id - непрерывный ток утечки

21 A

Pd - рассеивание мощности

100 W

Qg - заряд затвора

38 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

156 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

4 V, + 22 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5.6 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

14 ns

Время спада

11 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.7 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Технология

SiC

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

19 ns

Типичное время задержки при включении

6 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

TO-263-7L

Упаковка

Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet SCT3120AW7TL , pdf , 1523 КБ
Datasheet SCT3120AW7TL , pdf , 1431 КБ

SCT3120AW7TL, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 21 А, 650 В, 0.12 Ом, TO-263 (D2PAK) - характеристики, поставщики

Последняя цена 1640 руб.

Техническая документация