ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SCT3105KW7TL, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 23 А, 1.2 кВ, 0.105 Ом, TO-263 (D2PAK) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
SCT3105KW7TL, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 23 А, 1.2 кВ, 0…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SCT3105KW7TL, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 23 А, 1.2 кВ, 0.105 Ом, TO-263 (D2PAK)
Последняя цена
1800 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
МОП-транзистор 1200V 7PIN SIC 23A
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
SCT3105KW7TL
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1370701
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263 (D2PAK)
Рассеиваемая Мощность
125Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
1.2кВ
Непрерывный Ток Стока
23А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.105Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
18В
Пороговое Напряжение Vgs
5.6В
Вес, г
22.68
MOSFET Configuration
Single
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Id - непрерывный ток утечки
23 A
Pd - рассеивание мощности
125 W
Qg - заряд затвора
51 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
137 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток
4 V, + 22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5.6 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
12 ns
Время спада
10 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
3.4 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Технология
SiC
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
16 ns
Типичное время задержки при включении
4 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
TO-263-7L
Упаковка
Reel, Cut Tape
Техническая документация
Datasheet SCT3105KW7TL , pdf
, 1443 КБ
Datasheet SCT3105KW7TL , pdf
, 1533 КБ