SCT3080AW7TL, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 29 А, 650 В, 0.08 Ом, TO-263 (D2PAK), Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1670 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

МОП-транзистор 650V 7PIN SIC 29A

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

SCT3080AW7TL

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370696

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

7вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-263 (D2PAK)

Рассеиваемая Мощность

125Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

29А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.08Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Вес, г

22.68

MOSFET Configuration

Single

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Id - непрерывный ток утечки

29 A

Pd - рассеивание мощности

125 W

Qg - заряд затвора

48 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

104 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

4 V, + 22 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5.6 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

13 ns

Время спада

12 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

3.8 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Технология

SiC

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

17 ns

Типичное время задержки при включении

4 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

TO-263-7L

Упаковка

Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet SCT3080AW7TL , pdf , 1520 КБ
Datasheet SCT3080AW7TL , pdf , 1430 КБ

SCT3080AW7TL, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 29 А, 650 В, 0.08 Ом, TO-263 (D2PAK) - характеристики, поставщики

Последняя цена 1670 руб.

Техническая документация