ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SCT3060AW7TL, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 38 А, 650 В, 0.06 Ом, TO-263 (D2PAK) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
SCT3060AW7TL, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 38 А, 650 В, 0.…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SCT3060AW7TL, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 38 А, 650 В, 0.06 Ом, TO-263 (D2PAK)
Последняя цена
2190 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
SCT3060AW7TL
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1370694
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263 (D2PAK)
Рассеиваемая Мощность
159Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
38А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.06Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
18В
Пороговое Напряжение Vgs
5.6В
Вес, г
22.68
MOSFET Configuration
Single
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
Datasheet SCT3060AW7TL , pdf
, 1519 КБ