SCT3060ARC14, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 39 А, 650 В, 0.06 Ом, TO-247, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3090 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

N-канал 650V 39A (Tc) 165W сквозное отверстие TO-247-4L

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

SCT3060ARC14

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370693

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

165Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

39А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.06Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Вес, г

MOSFET Configuration

single

Base Product Number

SCT3060 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

39A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 18V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

852pF @ 500V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-4

Power Dissipation (Max)

165W

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78mOhm @ 13A, 18V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247-4L

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -4V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 6.67mA

Техническая документация

Datasheet SCT3060ARC14 , pdf , 1641 КБ

SCT3060ARC14, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 39 А, 650 В, 0.06 Ом, TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 3090 руб.

Техническая документация