SCT3060ALHRC11, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 39 А, 650 В, 0.06 Ом, TO-247N, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2850 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

МОП-транзистор 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

SCT3060ALHRC11

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370692

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247N

Рассеиваемая Мощность

165Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

39А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.06Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Вес, г

MOSFET Configuration

single

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

SCT3060 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

39A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 18V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

852pF @ 500V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

165W

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78mOhm @ 13A, 18V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247N

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -4V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 6.67mA

Id - непрерывный ток утечки

39 A

Pd - рассеивание мощности

165 W

Qg - заряд затвора

58 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

60 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

4 V, + 22 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.7 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

37 ns

Время спада

21 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4.9 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

SCT3x

Технология

SiC

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

34 ns

Типичное время задержки при включении

19 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet SCT3060ALHRC11 , pdf , 1918 КБ
Datasheet SCT3060ALHRC11 , pdf , 892 КБ

SCT3060ALHRC11, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 39 А, 650 В, 0.06 Ом, TO-247N - характеристики, поставщики

Последняя цена 2850 руб.

Техническая документация