SCT3040KRC14, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 55 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, TO-247, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 6310 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

МОП-транзистор 1200V N-CH SIC TRENCH

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

SCT3040KRC14

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370690

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

262Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

55А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.04Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Вес, г

MOSFET Configuration

single

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

SCT3040 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

55A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 18V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1337pF @ 800V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-4

Power Dissipation (Max)

262W

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 20A, 18V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247-4L

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -4V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 10mA

Id - непрерывный ток утечки

55 A

Pd - рассеивание мощности

262 W

Qg - заряд затвора

107 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

40 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.2 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

4 V, + 22 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5.6 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

19 ns

Время спада

19 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

8.3 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

SCT3x

Технология

SiC

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

29 ns

Типичное время задержки при включении

6 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

TO-247-4

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet SCT3040KRC14 , pdf , 938 КБ
Datasheet SCT3040KRC14 , pdf , 1651 КБ

SCT3040KRC14, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 55 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 6310 руб.

Техническая документация