SCT3030KLHRC11, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 72 А, 1.2 кВ, 0.03 Ом, TO-247N, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7170 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

МОП-транзистор 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

SCT3030KLHRC11

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370689

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247N

Рассеиваемая Мощность

339Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

72А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.03Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Вес, г

MOSFET Configuration

single

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

SCT3030 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

72A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

131nC @ 18V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2222pF @ 800V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

339W

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 27A, 18V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247N

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -4V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 13.3mA

Id - непрерывный ток утечки

72 A

Pd - рассеивание мощности

339 W

Qg - заряд затвора

131 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

30 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.2 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

4 V, + 22 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.7 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

42 ns

Время спада

29 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

10.8 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

SCT3x

Технология

SiC

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

61 ns

Типичное время задержки при включении

24 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet SCT3030KLHRC11 , pdf , 896 КБ
Datasheet SCT3030KLHRC11 , pdf , 1932 КБ

SCT3030KLHRC11, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 72 А, 1.2 кВ, 0.03 Ом, TO-247N - характеристики, поставщики

Последняя цена 7170 руб.

Техническая документация