SCT3030ARC14, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 70 А, 650 В, 0.03 Ом, TO-247, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4610 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules

N-канал 650V 70A (Tc) 262W сквозное отверстие TO-247-4L

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

SCT3030ARC14

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370687

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247

Рассеиваемая Мощность

262Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

70А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.03Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

MOSFET Configuration

Single

Base Product Number

SCT3030 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

70A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

104nC @ 18V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1526pF @ 500V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-4

Power Dissipation (Max)

262W

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 27A, 18V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247-4L

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -4V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 13.3mA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1654 КБ

SCT3030ARC14, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 70 А, 650 В, 0.03 Ом, TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 4610 руб.

Техническая документация