SCT3030ALGC11, Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 70А, 650В, 0.03Ом, 18В, 5.6В, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3470 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules

МОП-транзистор N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

SCT3030ALGC11

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370684

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247N

Рассеиваемая Мощность

262Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

70А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.03Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

MOSFET Configuration

single

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Максимальный непрерывный ток стока

70 A

Package Type

TO-247N

Высота

21mm

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ROHM

Минимальная рабочая температура

55 C

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

22 V

Base Product Number

SCT3030 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

70A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

104nC @ 18V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1526pF @ 500V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

262W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 27A, 18V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247N

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -4V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 13.3mA

Id - непрерывный ток утечки

70 A

Pd - рассеивание мощности

262 W

Qg - заряд затвора

104 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

30 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

22 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5.6 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

41 ns

Время спада

27 ns

Длина

16мм

Другие названия товара №

SCT3030AL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

450

Серия

SCT3x

Технология

SiC

Тип продукта

MOSFET

Типичное время задержки выключения

48 ns

Типичное время задержки при включении

22 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet SCT3030ALGC11 , pdf , 762 КБ
Datasheet SCT3030ALGC11 , pdf , 1095 КБ
Datasheet SCT3030ALGC11 , pdf , 713 КБ

SCT3030ALGC11, Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 70А, 650В, 0.03Ом, 18В, 5.6В - характеристики, поставщики

Последняя цена 3470 руб.

Техническая документация