SCT3022ALGC11, Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 93А, 650В, 0.022Ом, 18В, 5.6В, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4610 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзистор N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

SCT3022ALGC11

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370681

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247N

Рассеиваемая Мощность

339Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

93А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.022Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

MOSFET Configuration

Single

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

SCT3022 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

93A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

133nC @ 18V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2208pF @ 500V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

339W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28.6mOhm @ 36A, 18V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247N

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -4V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 18.2mA

Id - непрерывный ток утечки

93 A

Pd - рассеивание мощности

339 W

Qg - заряд затвора

133 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

22 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

22 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5.6 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

53 ns

Время спада

35 ns

Другие названия товара №

SCT3022AL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

450

Серия

SCT3x

Технология

SiC

Тип продукта

MOSFET

Типичное время задержки выключения

61 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet SCT3022ALGC11 , pdf , 1026 КБ
Datasheet SCT3022ALGC11 , pdf , 655 КБ

SCT3022ALGC11, Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 93А, 650В, 0.022Ом, 18В, 5.6В - характеристики, поставщики

Последняя цена 4610 руб.

Техническая документация