SCT2160KEC, Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 22А, 1.2кВ, 0.16Ом, 18В, 4В, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1950 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules

• Быстрое обратное восстановление
• Простое параллельное соединение
• Простое требование к диску

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

SCT2160KEC

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370656

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

165Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

22А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.16Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

MOSFET Configuration

single

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

SCT2160 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

22A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 18V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 800V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

165W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

208mOhm @ 7A, 18V

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -6V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Id - непрерывный ток утечки

22 A

Pd - рассеивание мощности

165 W

Qg - заряд затвора

62 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

160 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.2 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

6 V, + 22 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.6 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

25 ns

Время спада

27 ns

Другие названия товара №

SCT2160KE

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.4 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

360

Серия

SCT2x

Технология

SiC

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Power MOSFET

Типичное время задержки выключения

67 ns

Типичное время задержки при включении

23 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet SCT2160KEC , pdf , 1062 КБ
Datasheet SCT2160KEC , pdf , 884 КБ
Datasheet SCT2160KEC , pdf , 967 КБ

SCT2160KEC, Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 22А, 1.2кВ, 0.16Ом, 18В, 4В - характеристики, поставщики

Последняя цена 1950 руб.

Техническая документация