ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SCT20N120AG, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 20 А, 1.2 кВ, 0.169 Ом, TO-247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
SCT20N120AG, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 20 А, 1.2 кВ, 0.…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SCT20N120AG, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 20 А, 1.2 кВ, 0.169 Ом, TO-247
Последняя цена
2480 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
SCT20N120AG
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1370653
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
200 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-247
Рассеиваемая Мощность
153Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
1.2кВ
Непрерывный Ток Стока
20А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.169Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
20В
Пороговое Напряжение Vgs
3.5В
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
4.5
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
MOSFET Configuration
single