SCT20N120, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 20 А, 1.2 кВ, 0.169 Ом, HiP247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

SCT20N120

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370652

Максимальная Рабочая Температура

200 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

HiP247

Рассеиваемая Мощность

175Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

20А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.169Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

20В

Пороговое Напряжение Vgs

3.5В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

6.55

MOSFET Configuration

single

SCT20N120, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 20 А, 1.2 кВ, 0.169 Ом, HiP247 - характеристики, поставщики