SCT1000N170, SCT1000N170 -STMICROELECTRONICS - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 7 А, 1.7 кВ, 1 Ом, HiP247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

SCT1000N170

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370647

Максимальная Рабочая Температура

200 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

HiP247

Рассеиваемая Мощность

96Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.7кВ

Непрерывный Ток Стока

7А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

1Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

20В

Пороговое Напряжение Vgs

3.5В

MOSFET Configuration

Single

SCT1000N170, SCT1000N170 -STMICROELECTRONICS - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 7 А, 1.7 кВ, 1 Ом, HiP247 - характеристики, поставщики