SCH2080KEC, Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 35А, 1.2кВ, 0.08Ом, 18В, 4В, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4210 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules

• Быстрое обратное восстановление
• Простота параллельного подключения

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

SCH2080KEC

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1370356

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

179Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

35А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.08Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

90.72

MOSFET Configuration

single

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Base Product Number

SCH2080 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

40A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

106nC @ 18V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 800V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

262W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

117mOhm @ 10A, 18V

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -6V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 4.4mA

Техническая документация

Datasheet SCH2080KEC , pdf , 910 КБ
Datasheet SCH2080KEC , pdf , 952 КБ

SCH2080KEC, Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 35А, 1.2кВ, 0.08Ом, 18В, 4В - характеристики, поставщики

Последняя цена 4210 руб.

Техническая документация