ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SBC847BWT1G, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 200мВт, SC70 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
SBC847BWT1G, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 200мВт, SC70
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
SBC847BWT1G, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 200мВт, SC70
Последняя цена
33 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Биполярные транзисторы - BJT SSP XSTR SC-70 NPN
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
SBC847BWT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2160216
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.02
Base Product Number
SBC847 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max
150mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SC-88/SC70-6/SOT-363
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200 at 2 mA, 5 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
100 mA
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BC847BW
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-323-3
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
450 at 2 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
250 mV
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 106 КБ
Datasheet , pdf
, 179 КБ
Datasheet , pdf
, 180 КБ