ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SBC846BDW1T1G, Транзистор NPN, биполярный, 65В, 0,1А, 380мВт, SOT363 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
SBC846BDW1T1G, Транзистор NPN, биполярный, 65В, 0,1А, 380мВт, SOT363
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
SBC846BDW1T1G, Транзистор NPN, биполярный, 65В, 0,1А, 380мВт, SOT363
Последняя цена
23 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
SBC846BDW1T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2188929
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.02
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Number of Elements per Chip
2
Length
2.2mm
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Package Type
SOT-363
Maximum Power Dissipation
380 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.35mm
Maximum DC Collector Current
100 mA
Height
1mm
Pin Count
6
Dimensions
2.2 x 1.35 x 1mm
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Minimum DC Current Gain
200@2mA@5V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Pd - Power Dissipation
380mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Количество элементов на ИС
2
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.75
Type
NPN
Product Category
Bipolar Small Signal
Configuration
Dual
Maximum Collector Base Voltage (V)
80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
65
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
15
Maximum Power Dissipation (mW)
380
Maximum Transition Frequency (MHz)
100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
Yes
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-363
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.9
Package Length
2
Package Width
1.25
PCB changed
6
Lead Shape
Gull-wing
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0.9 V
Тип корпуса
SOT-363
Automotive Standard
AEC-Q101
Supplier Temperature Grade
Automotive
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 105 КБ