ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RUF015N02TL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 1.5 А, 0.13 Ом, TUMT, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
RUF015N02TL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 1.5 А, 0.13 Ом, TU…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
RUF015N02TL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 1.5 А, 0.13 Ом, TUMT, Surface Mount
Последняя цена
70 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор Med Pwr, Sw МОП-транзистор P Chan, 20V, 1.5A
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
RUF015N02TL
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1365619
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TUMT
Рассеиваемая Мощность
800мВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
1.5А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.13Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.01
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1-Безлимитный
Ширина
1.7 mm
Высота
0.77 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
RUF015 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
3-SMD, Flat Lead
Power Dissipation (Max)
800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TUMT3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Id - непрерывный ток утечки
1.5 A
Pd - рассеивание мощности
800 mW
Qg - заряд затвора
1.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
300 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
5 ns
Время спада
3 ns
Длина
2 mm
Другие названия товара №
RUF015N02
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
RUF015N02
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel Power MOSFET
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки при включении
5 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-323-3
Продукт
MOSFET Small Signal
Other Related Documents
http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Simulation Models
http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Техническая документация
Datasheet RUF015N02TL , pdf
, 1965 КБ
Datasheet RUF015N02TL , pdf
, 1997 КБ
Datasheet RUF015N02TL , pdf
, 112 КБ