ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RU6888R, Транзистор MOSFET N-канал 68V 88A130W [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Shenzhen ruichips Semicon
RU6888R, Транзистор MOSFET N-канал 68V 88A130W [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
RU6888R, Транзистор MOSFET N-канал 68V 88A130W [TO-220]
Последняя цена
73 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Shenzhen ruichips Semicon
Артикул
RU6888R
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1813483
Технические параметры
Вес, г
2.7
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
88A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
130W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
8mО© @ 35A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
68V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 462 КБ