RSR030N06TL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 3 А, 0.06 Ом, TSMT, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 96 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзистор Med Pwr, Sw МОП-транзистор N Chan, 60V, 3A

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

RSR030N06TL

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1364275

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TSMT

Рассеиваемая Мощность

1Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

60В

Непрерывный Ток Стока

3А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.06Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

2.5В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.008

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

RSR030 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-96

Power Dissipation (Max)

540mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TSMT3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

3 A

Pd - рассеивание мощности

1 W

Qg - заряд затвора

5 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

85 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

12 ns

Время спада

10 ns

Другие названия товара №

RSR030N06

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

RSR030N06

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel MOSFET

Типичное время задержки выключения

30 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-346T-3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

540mW

Rds On - Drain-Source Resistance

85mО© @ 3A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.5V @ 1mA

Техническая документация

Datasheet RSR030N06TL , pdf , 3438 КБ
Datasheet , pdf , 2514 КБ

RSR030N06TL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 3 А, 0.06 Ом, TSMT, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 96 руб.

Техническая документация