ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RSF010P05TL, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 45 В, 1 А, 0.33 Ом, TUMT, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
RSF010P05TL, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 45 В, 1 А, 0.33 Ом, TUMT…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
RSF010P05TL, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 45 В, 1 А, 0.33 Ом, TUMT, Surface Mount
Последняя цена
91 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзисторы с каналом P, ROHM
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
RSF010P05TL
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1363776
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное рассеяние мощности
800 mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Количество элементов на ИС
1
Brand
ROHM
Pin Count
3
Base Product Number
RSF010 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
45V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.3nC @ 5V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
3-SMD, Flat Lead
Power Dissipation (Max)
800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
460mOhm @ 1A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TUMT3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Длина
2.1mm
Серия
RSF010P05
Other Related Documents
http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Simulation Models
http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Тип корпуса
SOT-323T
Transistor Configuration
Одинарный
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Типичный заряд затвора при Vgs
2.3 nC @ 5 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Width
1.8mm
Height
0.82мм
Maximum Drain Source Resistance
690 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
45 В
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
P
Forward Diode Voltage
1.2V
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V