RQ6E050ATTCR, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 5 А, 0.021 Ом, TSMT, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 72 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзисторы с каналом P, ROHM

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

RQ6E050ATTCR

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1359032

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TSMT

Рассеиваемая Мощность

1.25Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

5а

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.021Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

2.5В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

5.577

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Length

3мм

Конфигурация транзистора

Dual Base

Brand

ROHM

Series

RQ6E050AT

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Typical Gate Charge @ Vgs

20.8 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-18 V, +18 V

Base Product Number

RQ6E050 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

5A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.8nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 15V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Power Dissipation (Max)

1.25W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TSMT6 (SC-95)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

5 A

Pd - рассеивание мощности

1.25 W

Qg - заряд затвора

20.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

38 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

16 ns

Время спада

22 ns

Другие названия товара №

RQ6E050AT

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

55 ns

Типичное время задержки при включении

9.6 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-457-6

Упаковка

Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet RQ6E050ATTCR , pdf , 1581 КБ
Datasheet RQ6E050ATTCR , pdf , 2421 КБ

RQ6E050ATTCR, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 5 А, 0.021 Ом, TSMT, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 72 руб.

Техническая документация