RQ6E030ATTCR, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 3 А, 0.07 Ом, TSMT, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 31 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзистор Pch -30V -3A Middle Power МОП-транзистор

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

RQ6E030ATTCR

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1359028

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TSMT

Рассеиваемая Мощность

1.25Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

3А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.07Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

2.5В

Transistor Mounting

Surface Mount

Ширина

1.8mm

Высота

0.95мм

Количество элементов на ИС

Length

3мм

Brand

ROHM

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

5.4 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

±12 V

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Id - непрерывный ток утечки

3 A

Pd - рассеивание мощности

1.25 W

Qg - заряд затвора

5.4 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

70 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

8.5 ns

Время спада

5.5 ns

Другие названия товара №

RQ6E030AT

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

22 ns

Типичное время задержки при включении

6.5 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-457-6

Тип корпуса

TSMT

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Power Dissipation

1,25 Вт

Maximum Drain Source Resistance

135 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 В

Минимальное пороговое напряжение включения

Forward Diode Voltage

1.2V

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Техническая документация

Datasheet RQ6E030ATTCR , pdf , 2486 КБ
Datasheet RQ6E030ATTCR , pdf , 2950 КБ

RQ6E030ATTCR, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 3 А, 0.07 Ом, TSMT, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 31 руб.

Техническая документация