ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RN4983, Транзистор NPN / PNP, биполярный, BRT, 50/-50В, 100/-100мА - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
RN4983, Транзистор NPN / PNP, биполярный, BRT, 50/-50В, 100/-100мА
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
RN4983, Транзистор NPN / PNP, биполярный, BRT, 50/-50В, 100/-100мА
Последняя цена
33 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Комплементарные пары транзисторов
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
RN4983,LF(CT
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2163625
Технические параметры
Полярность Транзистора
NPN, PNP
Вес, г
0.03
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
70
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
10 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
RN4983
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
Toshiba
Упаковка / блок
SOT-363-6
Типичное входное сопротивление
22 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
1
Количество каналов
2 Channel
Техническая документация
Datasheet RN4983.LF(CT , pdf
, 353 КБ