ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RJP30H2ADPE, Транзистор, IGBT 360В 35А [TO-263] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Renesas Technology
RJP30H2ADPE, Транзистор, IGBT 360В 35А [TO-263]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
RJP30H2ADPE, Транзистор, IGBT 360В 35А [TO-263]
Последняя цена
460 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Renesas Technology
Артикул
RJP30H2ADPE
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1788887
Технические параметры
Вес, г
3.5
Максимальное напряжение КЭ ,В
360
Корпус
d2-pak
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
35
Техническая документация
RJP30H2A , pdf
, 261 КБ