RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET, N, TO-220 Тип транзистора MOSFET Полярность транзистора N Напряжение, Vds, тип. Ток 60 В, Id Cont. Сопротивление 70 А, Rds, напряжение 0,014 Ом, Vgs, Rds, измерение, напряжение 10 В, Vgs th, тип. Ток в отверстии, Idm Pulse 180A Маркировка устройства RFP70N06 Кол-во контактов 3 Рассеиваемая мощность Мощность 150 Вт, сопротивление Pd 150 Вт, Rds при макс. 0,014 Ом Температура, ток 25, № 176; Температура C, номинальная мощность 25, № 176; Транзисторы C, Кол-во 1 Напряжение, Vds Max 60V Напряжение, Vgs th Max 4V

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

RFP70N06

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1788781

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.014 Ом/70А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

150

Корпус

TO-220AB

Пороговое напряжение на затворе

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
RFG70N06 / RFP70N06 / RF1S70N06 / RF1S70N06SM 70A, 60V, 0.014, N-Channel Power MOSFETs datasheet , pdf , 231 КБ
Datasheet RFP70N06 , pdf , 694 КБ
Datasheet RFP70N06 , pdf , 680 КБ
Datasheet RFP70N06 , pdf , 1320 КБ

RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация