RFD3055LESM9A, N CHANNEL MOSFET, 60V, 11A TO-252AA, Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 82 руб.

Сравнить

Описание

• Модель PSPICE® с температурной компенсацией
• Кривая зависимости пикового тока от ширины импульса
• Кривая оценки UIS

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

RFD3055LESM9A

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1351308

Технические параметры

Вес, г

0.26

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Brand

ON Semiconductor

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.39мм

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Type

Transistor Configuration

Одиночный

Package Type

DPAK (TO-252)

Width

6.22mm

Pin Count

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Power Dissipation

38 W

Maximum Drain Source Resistance

107 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

9.4 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1305 КБ
Datasheet RFD3055LESM9A , pdf , 1287 КБ
Datasheet RFD3055LESM9A , pdf , 1301 КБ

RFD3055LESM9A, N CHANNEL MOSFET, 60V, 11A TO-252AA - характеристики, поставщики

Последняя цена 82 руб.

Техническая документация