RFD14N05SM9A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 50В, 14А, 48Вт, DPAK,TO252AA, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

RFD14N05SM9A

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1832422

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.5

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Brand

ON Semiconductor

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

6.22 mm

Height

2.39mm

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

DPAK (TO-252)

Width

6.22mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

RFD14N05SM9A

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

6.73 mm

Высота

2.39 mm

Id - непрерывный ток утечки

14 A

Pd - рассеивание мощности

48 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

50 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Minimum Gate Threshold Voltage

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

100 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Power Dissipation

48 W

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 20 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Время нарастания

26 ns

Время спада

17 ns

Типичное время задержки выключения

45 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Другие названия товара №

RFD14N05SM9A_NL

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

14A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

48W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

50V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet RFD14N05SM9A , pdf , 759 КБ
Datasheet , pdf , 757 КБ

RFD14N05SM9A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 50В, 14А, 48Вт, DPAK,TO252AA - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация