ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RE1C002UNTCL, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
RE1C002UNTCL, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
RE1C002UNTCL, Транзистор
Последняя цена
6.5 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные MOSFET-транзисторы, ROHM
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
RE1C002UNTCL
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1819369
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-416FL
Высота
0.8мм
Length
1.7мм
Brand
ROHM
Pin Count
3
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Серия
RE1C002UN
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Power Dissipation
150 мВт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
0.96mm
Maximum Drain Source Resistance
4.8 Ω
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.2V
Техническая документация
Datasheet RE1C002UNTCL , pdf
, 2543 КБ