ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
R6520ENX транзистор, N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220FM - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
R6520ENX транзистор, N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220FM
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
R6520ENX транзистор, N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220FM
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
R6520ENX транзистор
P/N
R6520ENX
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1744062
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Package Type
TO-220FM
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
15.4mm
Brand
ROHM
Series
R6520ENX
Максимальное сопротивление сток-исток
200 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Длина
10.3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
61 нКл при 10 В
Number of Elements per Chip
1
Maximum Power Dissipation
68 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.8мм
Forward Diode Voltage
1.5V