ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
R6015ENX, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 15 А, 0.26 Ом, TO-220FM, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
R6015ENX, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 15 А, 0.26 Ом, TO-22…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
R6015ENX, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 15 А, 0.26 Ом, TO-220FM, Through Hole
Последняя цена
610 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 10V Drive Nch МОП-транзистор
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
R6015ENX
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1346190
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220FM
Рассеиваемая Мощность
60Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
600В
Непрерывный Ток Стока
15А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.26Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
4.9
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1-Безлимитный
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
R6015 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
910pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220FM
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Id - непрерывный ток утечки
15 A
Pd - рассеивание мощности
60 W
Qg - заряд затвора
40 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
260 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
55 ns
Время спада
45 ns
Другие названия товара №
R6015ENX
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
500
Серия
Super Junction-MOS EN
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
105 ns
Типичное время задержки при включении
30 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
TO-220FP-3
Упаковка
Reel, Cut Tape
Other Related Documents
http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Simulation Models
http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
15A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
40W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
290mО© @ 6.5A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 1mA
Техническая документация
Datasheet R6015ENX , pdf
, 1866 КБ
Datasheet R6015ENX , pdf
, 1586 КБ
Datasheet R6015ENX , pdf
, 2461 КБ