ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
R6015ANX, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
R6015ANX, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
R6015ANX, Транзистор
Последняя цена
490 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные MOSFET-транзисторы, ROHM
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
R6015ANX
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1818870
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-220FM
Высота
15.4мм
Transistor Material
Кремний
Length
10.3мм
Brand
ROHM
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
50 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 В, +30 В
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Power Dissipation
50 Вт
Width
4.8мм
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N