QST8TR, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -12 В, -1.5 А, 500 мВт, 270 hFE, SOT-457T, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 94 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR PNP Vce -12v -1.5A

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

QST8TR

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1343683

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-12В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-457T

Рассеиваемая Мощность

500мВт

Полярность Транзистора

Двойной PNP

DC Ток Коллектора

-1.5А

DC Усиление Тока hFE

270hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.026

Pd - рассеивание мощности

1.25 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.1 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

270

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

1.5 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

15 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

12 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

1.5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

QST8

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SMT-6

Ширина

1.6 mm

Другие названия товара №

QST8

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

680

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

400 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

85 mV

Техническая документация

Datasheet QST8TR , pdf , 1260 КБ
Datasheet QST8TR , pdf , 999 КБ

QST8TR, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -12 В, -1.5 А, 500 мВт, 270 hFE, SOT-457T - характеристики, поставщики

Последняя цена 94 руб.

Техническая документация