ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
QS8J13TR, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 12 В, 5.5 А, 0.015 Ом, TSMT, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
QS8J13TR, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 12 В, 5.5 А, 0.015 Ом, TSMT…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
QS8J13TR, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 12 В, 5.5 А, 0.015 Ом, TSMT, Surface Mount
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 1.5V Drive Pch+Pch МОП-транзистор
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
QS8J13TR
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1343428
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TSMT
Рассеиваемая Мощность
1.5Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
12в
Непрерывный Ток Стока
5.5А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.015Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
1В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
5.58
Id - непрерывный ток утечки:
5.5 A
Pd - рассеивание мощности:
1.5 W
Qg - заряд затвора:
60 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
15 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
12 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
- 8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
1 V
Вид монтажа:
SMD/SMT
Время нарастания:
100 ns
Время спада:
200 ns
Другие названия товара №:
QS8J13
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
2 Channel
Конфигурация:
Dual
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Подкатегория:
MOSFETs
Полярность транзистора:
P-Channel
Производитель:
ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки:
3000
Серия:
QS8J13
Технология:
Si
Тип продукта:
MOSFET
Тип транзистора:
2 P-Channel
Типичное время задержки выключения:
400 ns
Типичное время задержки при включении:
13 ns
Торговая марка:
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок:
TSMT-8
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
8.5 S
Техническая документация
Datasheet QS8J13TR , pdf
, 1355 КБ
Datasheet QS8J13TR , pdf
, 2769 КБ