QH8MA3TCR, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 7 А, 0.022 Ом, TSMT, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

МОП-транзистор 30V N+P Ch МОП-транзистор

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

QH8MA3TCR

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1343105

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TSMT

Рассеиваемая Мощность

2.5Вт

Полярность Транзистора

N и P Дополнение

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

7А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.022Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

2.5В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

5.577

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

7 A, 5.5 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Qg - заряд затвора

7.2 nC, 10 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

22 mOhms, 37 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V, 2.5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

8 ns, 12 ns

Время спада

5.7 ns, 20 ns

Другие названия товара №

QH8MA3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.7 S, 3.3 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel, 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

12 ns, 40 ns

Типичное время задержки при включении

7.2 ns, 8 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

TSMT-8

Техническая документация

Datasheet QH8MA3TCR , pdf , 4242 КБ
Datasheet QH8MA3TCR , pdf , 2150 КБ

QH8MA3TCR, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 7 А, 0.022 Ом, TSMT, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация