ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PZT2222AT1G, GP BJT NPN 40V 0.6A, [SOT-223] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
PZT2222AT1G, GP BJT NPN 40V 0.6A, [SOT-223]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PZT2222AT1G, GP BJT NPN 40V 0.6A, [SOT-223]
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
• Без галогенов
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
PZT2222AT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1788198
Технические параметры
Вес, г
0.39
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
1.5
Корпус
SOT-223
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
300
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 108 КБ
Datasheet , pdf
, 132 КБ