ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PUMZ2.115, Транзистор NPN / PNP, биполярный, BRT,комплементарная пара, 50В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PUMZ2.115, Транзистор NPN / PNP, биполярный, BRT,комплементарная пара,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PUMZ2.115, Транзистор NPN / PNP, биполярный, BRT,комплементарная пара, 50В
Последняя цена
19 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Комплементарные пары транзисторов
Биполярный (BJT) транзисторный массив NPN, PNP 50 В 150 мА 100 МГц, 190 МГц 300 мВт Поверхностный монтаж 6-TSSOP
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PUMZ2.115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2132376
Технические параметры
Вес, г
0.05
Base Product Number
PUMZ2 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
150mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 6V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz, 190MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
6-TSSOP
Transistor Type
NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Pd - рассеивание мощности:
300 mW
Вид монтажа:
SMD/SMT
Категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация:
Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:
120 at 1 mA, 6 V
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора:
0.15 A
Напряжение коллектор-база (VCBO):
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):
7 V
Подкатегория:
Transistors
Полярность транзистора:
NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):
100 MHz, 190 MHz
Производитель:
Nexperia
Размер фабричной упаковки:
3000
Технология:
Si
Тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка:
Nexperia
Упаковка / блок:
TSSOP-6
Другие названия товара №:
934058172115
Квалификация:
AEC-Q101
Минимальная рабочая температура:
- 65 C
Упаковка:
Cut Tape, MouseReel, Reel
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 119 КБ
Datasheet PUMZ2.115 , pdf
, 211 КБ
Datasheet , pdf
, 217 КБ