PUMX1.115, Транзистор NPN, биполярный, 40В, 100мА, 300мВт, SOT363, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 19 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

• Board-space reduction

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PUMX1.115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1340183

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.05

Base Product Number

P*MX1 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

6-TSSOP

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

40V

Transistor Configuration

Изолированный

Brand

Nexperia

Максимальное напряжение коллектор-база

50 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

1 x 2.2 x 1.35мм

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

120

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-363-6

Ширина

1.35мм

Другие названия товара №

PUMX1 T/R

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

120 at 1 mA at 6 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,2 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Тип корпуса

UMT

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

120

Техническая документация

Datasheet , pdf , 119 КБ
Datasheet PUMX1,115 , pdf , 713 КБ

PUMX1.115, Транзистор NPN, биполярный, 40В, 100мА, 300мВт, SOT363 - характеристики, поставщики

Последняя цена 19 руб.

Техническая документация