PUMH4,115, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 33 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

Двойные цифровые транзисторы с одним резистором, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PUMH4,115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1340181

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

6 Выводов

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в

Полярность Транзистора

NPN

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.01

Base Product Number

P*MH4 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

1ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 5V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

6-TSSOP

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Линейка Продукции

PUMH4 Series

Корпус РЧ Транзистора

SOT-363

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,15 В

Length

2.2мм

Transistor Configuration

Изолированный

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

50 В

Package Type

UMT

Width

1.35мм

Maximum DC Collector Current

100mA

Pin Count

Dimensions

2.2 x 1.35 x 1мм

Minimum DC Current Gain

200

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

300mW

Конфигурация транзистора

Изолированный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Конфигурация

Dual

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

TSSOP-6

Ширина

1.35мм

Другие названия товара №

934054931115

Квалификация

AEC-Q101

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,15 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Тип корпуса

UMT

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Резистор На входе Базы R1

10кОм

Непрерывный Коллекторный Ток Ic

100мА

Полярность Цифрового Транзистора

Двойной NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 mA

Типичный входной резистор

10 кΩ

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

10 kOhms

Типичный коэффициент резистора

Нет, пусто

Resistor - Base (R1)

10kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 339 КБ
Datasheet PUMH4.115 , pdf , 188 КБ

PUMH4,115, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм - характеристики, поставщики

Последняя цена 33 руб.

Техническая документация