ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PUMH2.115, Транзистор NPN x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 300мВт, SOT363 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PUMH2.115, Транзистор NPN x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 300мВт, SOT…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PUMH2.115, Транзистор NPN x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 300мВт, SOT363
Последняя цена
19 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Двойные цифровые транзисторы с двойным резистором, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PUMH2.115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2182100
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.01
Base Product Number
PUMH2 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
6-TSSOP
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Transistor Configuration
Изолированный
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
300mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
2.2мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Конфигурация
Dual
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
TSSOP-6
Ширина
1.35мм
Другие названия товара №
934055787115
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
80
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,15 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Число контактов
6
Тип корпуса
UMT
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Типичный входной резистор
47 кΩ
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
47 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
1
Типичный коэффициент резистора
1
Resistor - Base (R1)
47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 907 КБ
Datasheet , pdf
, 711 КБ
Datasheet PUMH2,115 , pdf
, 616 КБ